技术编号:13096207
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明构思涉及集成电路器件及其制造方法,并且,更具体地,涉及包括化合物半导体纳米线的集成电路器件及其制造方法。背景技术随着半导体器件的集成密度增大,已经有通过使用诸如应变沟道、高k电介质层和金属栅极的各种材料改善晶体管性能的努力。然而,随着晶体管的栅长度逐渐减小,使用这些晶体管的集成电路器件的可靠性和性能可能被影响。发明内容本发明构思提供一种集成电路器件,该集成电路器件能够通过提供具有精确控制的栅长度的晶体管而实现高的可靠性和性能。本发明构思还提供一种制造集成电路器件的方法,凭借该方法具有精确控...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。