技术编号:13100639
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及集成电路工艺装置,特别涉及一种升降机构及化学气相沉积装置。背景技术现有的半导体制造工艺中,化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)装置被广泛应用,通过CVD工艺在半导体晶圆上沉积所需要的薄膜(如氮化钛薄膜等)。当所述薄膜生长结束后,会通过所述化学气相沉积装置中的一升降机构中的升降销将一晶圆托盘顶起来,以便机械手抓取反应腔中的晶圆托盘,并将其传出来。但是,在现有技术中,当晶圆托盘被传出后,升降销会出现卡住下不去的情况,于是当新的晶圆托盘被传送到反应腔时,...
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