技术编号:13140013
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。整合于垂直栅鳍式场效二极管的静电放电及被动结构本申请是申请号为201610251813.7,申请日为2016年4月21日,发明名称为“整合于垂直栅鳍式场效二极管的静电放电及被动结构”的中国专利申请的分案申请。技术领域本揭露大体上关于二极管,并且更具体地说,关于鳍式集成电路结构中的垂直二极管。背景技术鳍式场效晶体管(FinFET)利用鳍形半导体本体作为主要的晶体管元件。鳍片的中心(通道)乃是半导体,且鳍片的端部乃是导体,而上覆栅极供应电压场以改变鳍片中心的导电性。二极管包含容许电流在阳极与阴极之间...
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