技术编号:13140043
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2016年6月1日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0068350的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。技术领域本公开的方面涉及一种半导体装置及其制造方法,且更特别地,涉及一种包括三维存储器单元阵列的半导体装置及其制造方法。背景技术半导体装置可包括包含多个存储器单元的存储器单元阵列。存储器单元阵列可包括以各种结构布置的存储器单元。为了提高半导体装置的集成度,存储器单元可三维地布置在衬底上。发明内容根据本公开的方面,提供...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。