技术编号：13140300
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。发明构思的实施方式涉及半导体器件和/或其制造方法。更具体地，发明构思的实施方式涉及磁存储器件和/或其制造方法。背景技术半导体器件由于它们的小尺寸、多功能特性和/或低的制造成本而被广泛用于电子工业中。半导体器件当中的半导体存储器件也可以存储逻辑数据。半导体存储器件当中的磁存储器件由于它们的高速和/或非易失性的特性而作为下一代半导体存储器件受到关注。通常，磁存储器件可以包括磁隧道结(MTJ)图案。MTJ图案可以包括两个磁性层和设置在所述两个磁性层之间的绝缘层。MTJ图案的电阻值可以根据所述两个磁性层...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。