技术编号：13165347
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本专利文件一般来说涉及自旋转移扭矩磁性随机存取存储器，且更特定来说涉及磁性隧道结层堆叠，其具有正交磁化层，所述正交磁化层提供由电流极性确定性地界定的存储层的最终磁性状态。背景技术磁阻性随机存取存储器(“MRAM”)是通过磁性存储元件存储数据的非易失性存储器技术。这些元件是可保持磁场且通过非磁性材料(例如非磁性金属或绝缘体)分离的两个铁磁性板或电极。一般来说，所述板中的一者使其磁化被钉扎(即，“参考层”)，这意味着此层具有比另一层高的矫顽磁性且需要较大磁场或自旋极化电流来改变其磁化的定向。...
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