技术编号:13216846
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体设备制造领域,具体地,涉及一种用于等离子刻蚀设备的上盖和一种包括该上盖的等离子刻蚀设备。背景技术图形化蓝宝石衬底(PSS,PatternedSapphireSubstrate)是目前业界普遍采用的一种提高蓝宝石衬底上GaN基LED出光效率的方法。其具体方法包括以下步骤:用光刻胶或其他掩膜材料在蓝宝石衬底上制作图形化的掩膜层;和用湿法刻蚀或干法刻蚀的方法刻蚀蓝宝石衬底,将掩膜上的图形转移到蓝宝石衬底上。在对蓝宝石材料进行图形化时,可以根据蓝宝石材料的晶向、硬度等特性,选择不...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。