技术编号:13217484
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于半导体材料沉积技术,具体涉及一种花瓣状氧化亚铜及其制备方法和应用。背景技术能源短缺与环境污染是未来人类发展面临的两个主要的问题。太阳能由于具有资源丰富、能量高、清洁无污染等特点,备受人们的青睐,因此太阳能半导体材料近年来成为研究的热点。氧化亚铜是一种p型半导体,禁带宽度为2.1eV,其最大的优点是可以吸收太阳光中的可见光激发出光生电子-空穴对,已被应用于太阳能电池材料、光催化降解有机污染物和防污涂料等领域。目前沉积氧化亚铜的方法主要有电化学沉积法、化学气相沉积法、溅射法、湿化学...
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