技术编号:13218560
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求2013年9月27日递交的美国临时专利申请No.61\/883,452的优先权。要求此美国临时专利申请的优先权益。发明背景在文献中公开的用于形成硅杂原子和锗杂原子键的大多数方法涉及氯硅烷和亲核物质(胺、膦等)的反应。这些反应是基于纯脱卤化氢反应,由此形成1当量的卤化氢,需要用碱除去卤化氢,形成大量的必须过滤出去的盐。此事实也将此反应的范围限制为能与碱相容的基质,导致产物被卤素例如氯和氨基卤化物污染。硅烷化合物例如单硅烷、乙硅烷和三硅烷能用于各种应用中。在半导体领域中,硅烷化合物通常作为...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。