技术编号:13238841
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体装置及其制造方法。背景技术随着集成电路的发展及其集成度的提高,传统的基于单一晶体管的硅集成电路出现了很多问题,例如,晶体管数目和互连线的增多会产生信号延迟和串扰误差等诸多问题。神经元MOS晶体管(NeuronMOSFET,简写为neuMOS或vMOS)为解决集成电路中晶体管数目及互连线增多带来的问题提供了一种有效的途径。典型的vMOS中,多个输入信号由耦合电容耦合输入,通过导电将多个输入信号耦合,得到一个加权的电压值,当加权的电压值大于阈值电压...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。