技术编号：13252814
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于电真空技术领域，特别涉及一种浸渍式钨酸钡锶阴极及其制备方法。背景技术随着真空电子器件向高功率、高频率、高可靠及长寿命方向的发展，要求进一步提高阴极的发射电流密度、降低阴极工作温度、减小阴极蒸发率、延长阴极寿命。目前在真空电子器件中应用最为广泛的是氧化物阴极及浸渍覆膜钡钨阴极。这类阴极发射所用活性物质为活性Ba盐，如铝酸盐、钪酸盐、钨酸盐。激活后的阴极将从内部不断提供盈余Ba扩散至阴极表面，从而使阴极持续发射电子。钨酸钡锶阴极作为钨酸盐阴极最早以压制式阴极的形式出现于上世纪60年...
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