技术编号：13253711
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种免烧结致密多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法，属于涂层制备技术领域。背景技术目前，多晶硅电池成本上的绝对优势使其逐步取代了单晶硅电池在市场中的主导地位。在硅材料太阳能电池行业中，多晶硅铸锭已经成为主体铸锭技术。在多晶硅铸锭过程中，为使硅锭顺利脱模分离和防止高温下液态硅与石英陶瓷制成的坩埚发生反应，需在坩埚内表面上制作涂层，并要求涂层为高纯度，性质稳定，并与坩埚内表面具有合适的结合强度。多晶硅铸锭用坩埚涂层的原材料主要采用晶态Si3N4粉，通常是将其直接加入去离子水中搅拌均匀后，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。