技术编号：13288674
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及无机先进纳米薄膜材料及微电子技术领域，具体涉及一种二维纳米片层MoS2垂直结构阻变器件。技术背景随着半导体工业22nm技术节点的到来，基于硅材料的传统非易失性存储器的存储密度已经越来越接近其本征极限。阻变存储器(RRAM)作为一种具有高密度存储潜力的新型非易失性存储器在20世纪90年代末以来发展十分迅速，具有结构简单、尺寸可缩小性好、擦写速度快、重复擦写次数高、数据保持时间长、多值存储和三维存储潜力等众多优点，受到了研究人员的广泛关注，近年来有很多新型结构的设计和新型材料的提出...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。