技术编号：13290784
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及电容器制备领域，特别是涉及一种三维结构陶瓷电容器及其制备方法。背景技术半导体陶瓷电容器，一般分三大类，即阻挡层型、表面层型和晶粒边界层型。表面型半导体电容器是利用半导体陶瓷表面再氧化，形成表面绝缘介质层。目前表面层型半导体陶瓷电容器多采用钛酸钡、钛酸锶或者二氧化钛陶瓷作为电介质材料，要求氧化后的表面层陶瓷具有介电常数高、介质损耗低、耐电压高及温度稳定性好等特点。为了适应微组装的发展要求，电子元器件正逐步向微型化发展，而现有表面层型半导体陶瓷电容器无法满足更大容量、更小体积的要求...
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