技术编号：1329360
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明揭示一种用于光阻剂(photoresist)的清洁溶液，其可在形成光阻剂图案的显影最终步骤中用于清洁半导体基材。具体言之，本发明揭示一种清洁溶液，其包括作为主要的溶剂的H2O、作为添加剂的表面活性剂磷酸盐-醇胺盐、及醇化合物，还揭示了使用该溶液形成图案的方法。背景技术 由于半导体装置变得更小，因此光阻剂图案的纵横比(亦即光阻剂的厚度或高度对所形成图案的线宽的比例)增加。当所形成的光阻剂图案的高度超出临界高度时，光阻剂的毛细作用力会超过其弹性，因而导致...
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