技术编号：13294336
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及一种基于键合技术的SOI加速度敏感芯片制造方法，属于微机电系统(MEMS)领域。背景技术随着MEMS技术的不断发展，MEMS压阻式加速度传感器以其体积小、成本低、易于集成化等优点，被广泛应用于汽车、生物医学、消费类电子产品等领域上。特别是在现代航空航天技术和现代国防装备等方面对惯性测量需求日益增加的背景下，MEMS压阻式加速度传感器的研究受到国内外高度重视。目前主流的压阻式加速度传感器芯片大多是基于硅材料研制的产品，其制造方法主要有两种，即表面微加工技术和体硅微加工技术。表面微加工...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。