技术编号：13298194
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅太阳能电池的技术领域，特别涉及一种在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法和应用该方法获得的太阳能电池。背景技术近来人们逐渐认识到提高晶硅太阳能电池效率的关键因素在于减小电池表面的载流子复合损失。最有效的方法之一是通过在太阳能电池的表面覆盖一层合适的电介质材料以减小硅电池表面硅的缺陷密度，进而减少载流子在表面附近通过缺陷复合，从而达到表面“钝化”的目的。近些年，拥有双面钝化电介质膜的太阳能电池，比如“发射极钝化和局部背接触”电池(PERC)和“发射极钝化和背部全扩散”电池(PERT)，已经逐渐...
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