技术编号：1329828
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路(IC)制造工艺，具体涉及一种新的用于制造闪烁存储器控制栅堆积结构淀积侧壁介质预清洗溶液配方。背景技术 大家知道半导体器件性能、可靠性和硅电路产品成品率受到残留在硅片或器件表面化学试剂杂质和颗粒杂质严重影响。由于半导体表面和亚微米尺寸器件特征极端敏感性，硅片初始清洗、氧化和形成图形后清洗有效技术甚至比之前清洗显得更加重要。因此，超清洁硅片表面制备在超大规模集成电路(VLSI)硅电路生产中，例如64-和256M DRAM器件，已经成为关键技...
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