技术编号:13333833
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及半导体领域,并且更具体地,涉及半导体器件及其形成方法。背景技术金属氧化物半导体场效应晶体管(FET或MOSFET)在集成电路(IC)中广泛使用。为了增加在IC中的MOSFET的密度,诸如MOSFET的栅极长度LG的物理尺寸显著地减小。具有短LG的MOSFET可能遭受不希望的短沟道效应(SCE),例如,高断开状态漏电流和高漏感势垒降低。为了抑制具有短栅极长度LG的晶体管中的SCE,可以采用多栅极场效应晶体管(MuGFET)体系结构。与平面器件结构相比,MuGFET通过栅电极具有更...
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