技术编号:13412144
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光伏领域,尤其涉及一种新型硅单晶炉。背景技术单晶硅作为一种半导体材料,一般用于制造集成电路和其他电子元件,目前单晶硅的生长技术有两种:区熔法和直拉法,其中直拉法是目前普遍采用的方法。在直拉法制造单晶硅时,要将多晶料置于石英坩埚中,经过高温加热使其熔化,然后籽晶由顶部降下至熔化的多晶硅中,通过控制液面的温度,使熔化的多晶硅在籽晶周围重新结晶,生成排列整齐的单晶硅棒。目前,硅单晶炉在生产过程中,通过导流筒对氩气进行导流,氩气流动过程中,不断的从晶体表面带走热量,然而,现有导流筒难以有效控制...
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