技术编号:13412171
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种大尺寸碳化硅晶体热处理方法,特别涉及一种大尺寸碳化硅晶体原位热处理方法。背景技术目前,PVT法是生长大尺寸碳化硅单晶最成熟的方法,PVT法是通过对位于坩埚底部的碳化硅源粉进行加热升华,气氛输运至顶部籽晶处再进行凝结,实现晶体的生长。PVT法实现晶体生长的关键就是温度分布,PVT法生长系统必然存在坩埚上下部之间的温度差异,以提供生长动力:源粉区与生长区(籽晶区)的总温差影响晶体生长速率,而晶体生长区的温度梯度则影响着晶体形貌、缺陷以及应力分布。以上决定了碳化硅晶体生长热场必然是非均匀...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。