技术编号:13423973
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力电子技术领域,具体地说,涉及一种功率半导体。背景技术功率半导体是电力电子技术及其应用装置的基础,是推动电力电子变换器发展的主要源泉。功率半导体处于现代电力电子变换器的心脏地位,它对装置的可靠性、成本和性能起着十分重要的作用。其中,普通晶闸管、门极关断晶闸管和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)先后称为功率半导体器件的发展平台。(平面型)栅控型功率半导体器件(例如IGBT)的栅氧化层的的厚度对于栅电容的大小有着直接的影响,这也进而影响了整个功率半导体器件的阈值电压及开关特性。为了降低栅电容...
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