技术编号:13448467
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体结构的形成方法。背景技术随着半导体技术的不断进步,半导体器件向着高集成度、高质量的方向发展,半导体器件的特征尺寸相应减小。半导体器件特征尺寸的减小,特别是栅极结构宽度的减小,使栅极结构下方沟道的长度相应缩小。晶体管中沟道长度的减小增加了源漏间电荷穿通的可能性,并容易引起沟道漏电流。为了减小沟道漏电流,半导体技术引入了鳍式场效应晶体管。鳍式场效应晶体管中,栅极结构在鳍部上,所以能够在鳍部顶部和侧壁形成沟道。因此,需要对鳍部侧壁和顶部进行离子注入,以形...
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