技术编号:13448474
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示装置技术领域,尤其涉及薄膜晶体管及制作方法、显示基板及制作方法、显示装置。背景技术由于顶栅结构的TFT(ThinFilmTransistor,薄膜晶体管)具有较低的寄生电容,较优良的电学特性,因此被广泛应用于显示装置中。常规的顶栅TFT如图1所示,一般包括形成于衬底基板01上的有源层图案02,形成于有源层图案02上的栅极绝缘图案03,形成于栅极绝缘图案03上的栅极04,以及通过过孔与有源层图案02连接的源极05和漏极06。现有技术中在制作顶栅结构的TFT时,由于要采用到栅极04与栅...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。