技术编号:13448511
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其是涉及一种IV族元素离子的离子注入工艺的监测方法。背景技术在现有的半导体离子注入工艺中,除了注入Ⅲ族或Ⅴ族元素离子(例如硼离子、磷离子或砷离子)以改变半导体器件的导电性能之外,通常还会注入IV族元素离子(例如碳离子、硅离子、锗离子、锡离子或铅离子),以对半导体器件进行非晶化处理。具体而言,可以通过注入IV族元素离子使得待处理表面形成预损伤,从而减轻在后续离子注入工艺中的沟道效应,并且有助于避免浅层注入的离子从表面析出。进一步地,在生产中需要对离子注入工艺的一致性...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。