技术编号：13448531
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制作技术领域，更为具体的说，涉及一种浅沟道隔离结构及其制作方法和半导体器件的制作方法。背景技术随着半导体技术的发展，集成电路中器件的特征尺寸越来越小，器件和系统的速度却随之提高。半导体工艺进入深亚微米阶段后，为实现高密度、高性能的器件和电路，隔离与平坦化工艺变得越来越重要。目前，形成隔离区域的方法主要包括有浅沟道隔离工艺(STI，ShallowTrenchIsolation)等。浅沟道隔离工艺克服了众多其他隔离工艺的局限性，具有优异的隔离性能、平坦的表面形状、良好的抗锁定性能...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。