技术编号:13448665
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种具有复合栅介质的栅控晶闸管。背景技术随着人类社会的不断发展,能源的消耗量不断增加,增加能量产出的同时,能量利用率也有着越来越高的要求。这些要求的实现,有赖于电力电子器件的发展。MOS栅控晶闸管作为这种新型半导体功率开关器件,得到越来越多人的关注。图1所示为传统的N型栅控晶闸管结构示意图。栅控晶闸管(MOSControlledThyristor,MCT),是一种结合了MOSFET特性和晶闸管特性的复合型功率器件,同时具有MOSFET高的输入阻抗、快的开关速...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。