技术编号:13448667
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件技术领域,涉及一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管,本发明还涉及该种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管的制作方法。背景技术碳化硅(SiC)材料具有禁带宽度大、热导率高、临界雪崩击穿电场强度高、饱和载流子漂移速度大及热稳定性好等优点,是制造电力半导体器件的理想材料。SiC高压器件与同等级的硅器件相比,具有更低的通态压降、更高的工作频率、更低的功耗、更小的体积以及更好的耐高温特性,更适合应用于电力电子电路。SiC晶闸管作为SiC高压器件中的一种,具有阻断电压高、通态压降低、...
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