技术编号：13448671
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。晶体管结构优先权要求本申请要求于2016年8月5日提交的法国申请专利号1657587的优先权益、以及于2016年7月5日提交的希腊申请专利号20160100358的优先权益，其公开内容以其全文通过引用结合在此。技术领域本公开涉及电子部件领域，并且具体涉及晶体管结构。背景技术N沟道MOS半导体晶体管包括均为N-型掺杂的漏极区域和源极区域，该漏极区域和源极区域被覆盖着绝缘栅的沟道区域分离。主电极定位在漏极区域和源极区域上。正电压通过这些主电极被施加在漏极区域与源极区域之间。通过该晶体管在这些主电极之...
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