技术编号：13448674
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件领域，尤其涉及一种碳化硅开关器件及制作方法。背景技术SiC材料禁带宽度大、击穿电场高、饱和漂移速度和热导率大，这些材料优越性使其成为制作高功率、高频、耐高温、抗辐射器件的理想材料。碳化硅MOSFET器件具有击穿电压高、电流密度大、驱动电路与硅IGBT近似的一系列优点，因此发展前景非常广泛。同时碳化硅是唯一可以通过自身氧化实现高质量栅氧化层的宽禁带半导体材料，但目前碳化硅热氧化技术尚不成熟，形成的沟道迁移率非常低，进而导致沟道电阻在电流流通路径上所占电阻比例非常大，严重制约了器...
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