技术编号:13448679
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。肖特基势垒二极管及其制造方法相关申请交叉参考本申请要求韩国专利申请第10-2016-0084839号优先权的权益,所述专利申请于2016年7月5日在韩国知识产权局提交,这里通过引用包含了其整个内容。技术领域本公开涉及一种包括碳化硅(SiC)的肖特基势垒二极管及其制造方法。背景技术肖特基势垒二极管使用肖特基结,其中不像普通的PN二极管那样使用PN结,而是金属和半导体结合在一起,肖特基势垒二极管显示了快速的开关特性,并且比PN二极管具有更低的开启电压。在通常的肖特基势垒二极管中,为了改善泄露电流减小...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。