技术编号：13506090
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种低氧含量单晶硅的生长技术，特别涉及直拉法单晶硅生长工艺中的加热器中心和热屏底部控制技术，制备低氧含量单晶硅。背景技术在单晶硅的制造工艺中，最常使用的是直拉法（Czochralski，缩写CZ），在直拉法中，多晶硅是填充在石英玻璃坩埚（也称石英坩埚）中，然后加热熔融形成硅熔液，在硅熔液中浸入籽晶后向上旋转提拉，硅在籽晶与熔液的界面处凝固结晶，形成单晶硅锭。氧在晶体中起到两个方面的作用，一是提高硅晶片的机械强度，是有益的方面；二是做了一种杂质相引起点缺陷和位错缺陷等，是有害的方面。目前...
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