技术编号:13506100
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制造领域,特别是涉及一种在石英坩埚中制备硅熔融体的方法以及直拉生长单晶硅的方法。背景技术提拉法被广泛用于制备单晶硅材料,石英坩埚通常被用于承载单晶硅熔融体。提拉法的工艺过程是采用一个具有预定义取向的籽晶沉浸在熔融体中,使籽晶和熔融体在不同方向上旋转,然后慢慢地往上提拉,提拉的过程中,熔融体在表面张力的作用下随着籽晶逐渐被拉起,并冷却结晶成为连续的单晶体。在这个提拉的过程中,石英玻璃坩埚需要承受数小时的高温,因而其必须具有高的机械强度,以及稳定的化学性质及热应力形变,从而保证其不发...
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