技术编号：13514787
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域，涉及一种基于复合转移衬底的垂直结构深紫外LED器件及其制备方法。背景技术经过10多年研究和发展，280nm以下的深紫外LED外量子效率已超过5％，对应发光功率大于5mW，寿命达5000h。功率的提升推动应用领域的发展，深紫外线LED的用途涉及食品安全，医疗，国防等领域。目前的研究进展及存在的问题是1.功率低：深紫外LED外量子效率已超过5％，但与蓝光的60％相比仍然很低，其原因包括：模板材料质量缺陷，多层结构中深紫外光的全内反射损失，以及P型电极的吸收导致光提取效率差，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。