技术编号:13540398
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于晶体硅太阳能电池技术领域。背景技术现行晶体硅太阳能电池片上面减反射膜为SiNx,采用PECVD镀膜的技术,PECVD镀膜技术有镀膜成本高,折射调整不容易等问题。现行SiNx的折射率在2.0~2.2之间,厚度在60~100nm。但是目前晶体硅太阳能电池组件的封装材料折射率在1.46~1.52之间,使用单层或渐变的SiNx折射率在2.0~2.2之间只能对小范围的波长起到良好的减反射效果。实用新型内容本实用新型的目的是提供一种增光膜晶体硅太阳能电池板,解决了现行的晶体硅太阳能电池片在多个...
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