技术编号：13541885
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请案根据35U.S.C.§119主张2015年4月3日申请的申请号为62\/142,591的美国临时申请案的优先权，其让渡给共同受让人，并在此以引用的方式结合于本文中。技术领域本发明涉及一种结合于阵列中的磁性随机存取存储(MRAM)单元。更特别的是，本发明涉及一种一次可编程(OTP)MRAM单元，其可与其他多次可编程MRAM类型一同嵌入于阵列中。背景技术近年来芯片上存储器的容量的快速增长已经重新寻求一种通用的嵌入式存储器技术，以结合快速读\/写、低电压操作、低功耗、非易失性、无限耐久性以及与...
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