技术编号:13542352
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明构思涉及存储器件。背景技术在要求处理高容量数据的同时,已经逐渐减小了电子产品的体积。因此,增加这样的电子产品中使用的半导体存储器件的集成将是有益的。作为其中半导体存储器件的集成可以被增加的方法,已经提出了具有垂直晶体管结构而不是现有的平面晶体管结构的存储器件。发明内容至少一个实施方式涉及一种半导体器件。在一个实施方式中,半导体器件包括在衬底上的交替的第一层间绝缘层和栅电极层的堆叠。至少一个栅电极层具有第一部分和第二部分。第二部分形成至少一个栅电极层的端部,并且第二部分的底表面在比第...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。