技术编号:13558609
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体装置及其制造方法,更具体地,涉及图像传感器及其制造方法,其能够提高量子转化效率以及改善辐射感测单元之间的串扰。背景技术图像传感器是将辐射(例如光辐射,包括但不限于可见光、红外线、紫外线等)转化为电信号的半导体装置。图像传感器包括有用于感测辐射的辐射感测单元(例如像素)。图像传感器可以被大体分为前照式图像传感器以及背照式图像传感器。相比于前照式图像传感器,由于在背照式(BSI)图像传感器中,辐射从背面进入,而诸如金属布线层等可能影响辐射接收的部件形成在正面。因此,背照式图像传感器显...
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