技术编号：1357738
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及水基组合物，及采用该水基组合物从其上具有光致抗蚀剂、底部抗反射涂层材料和填隙材料的基片或物品上除去上述物质的方法。相关技术描述光刻技术包含涂覆、曝光和显影的步骤。以正性或负性光致抗蚀剂物质涂覆晶片，在随后的工艺中以限定要保留或要除去的图案的掩模覆盖晶片。在将掩模适当地定位之后，掩模引导穿过单色射线束例如紫外(UV)光或深紫外(DUV)光(λ≈250nm)，从而使曝光的光致抗蚀剂材料更易溶于或更难溶于选定的冲洗液中。然后将溶解的光致抗蚀剂除去或“显...
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