技术编号：1358727
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及处理半导体衬底的设备和方法。更具体，本发明涉及清洗远程等离子体产生管内部的方法以及使用该远程等离子体产生管处理半导体衬底的方法和设备。背景技术 通常，通过执行其中在硅晶片上形成了电子电路的制造工序和其中检查由制造工序形成的电子电路电性能的电子管芯挑选(EDS)工序制造半导体器件。此外，在封装工序中使用环氧树脂独立地包封半导体器件。半导体器件如256兆位的DRAM或千兆位的SRAM一般具有多层结构。在常规半导体器件中，在半导体衬底上连续地层叠多个层...
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