技术编号：13597159

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本申请根据35 U.S.C.119(e)要求于2014年2月6日提交的美国临时申请序列No.61/936,554的优先权，该申请通过参引全部并入本文中。

技术领域

本公开涉及利用气相沉积将一层或更多层材料沉积在基板上。

背景技术

原子层沉积(ALD)是用于将一层或更多层材料沉积在基板上的薄膜沉积技术。ALD使用两种化学制品，一种是源前驱体，另一种是反应物前驱体。通常，ALD包括四个阶段：(i)注入源前驱体；(ii)去除源前驱体的物理吸附层；(...
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