技术编号:13626704
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。示例实施方式涉及垂直存储器件及其制造方法,且更具体地,涉及垂直NAND闪速存储器件和/或其制造方法。
背景技术
为了增加NAND存储器件的存储容量,已经提出了其中多个存储单元垂直地堆叠在衬底上的垂直NAND闪速存储器件。
随着垂直NAND闪速存储器件趋于小型化加之存储单元的高堆叠密度,电子扩散和串扰在垂直相邻的堆叠单元之间更加频繁地发生,这影响了垂直NAND闪速存储器件的可靠性。
为了减少和/或最小化垂直堆叠单元之间的电子扩散和串扰,电荷俘获...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。