技术编号：1365055
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种表面积不大且形状规则的硅体的清洗方法，尤其涉及一种单晶硅边皮的清洗方 法。背景技术光伏领域中，高纯的晶体硅是太阳能电池的主要基材，其只溶解于硝酸和氢氟酸的混合溶液中，原生的高纯硅体往往会因为长时间暴露在空气中，在硅料表面产生一层细致的膜状氧化层，厚度往往在微米、纳米级，目前常用的做法是通过强力的氧化、溶解能力的硝酸和氢氟酸混合溶液剥离一层，露出崭新的硅体。根据硅体的表面积大小和形状是否规则，分为以下三种情况1、硅体表面积不大，其外观呈珊瑚状，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。