技术编号:13664688
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电荷俘获存储器,具体的说是一种基于氧化石墨烯量子点的大存储窗口电荷俘获存储器及其制备方法。
背景技术
非易失性存储器 (Nonvolatile Memories , NVM )在半导体存储器产业中受到了极大关注。非易失性存储器能够以字节的方式实现信息的存储和读取,具有高密度存储和低功耗等优点,并且它的读取和写入速度都比较快,部分非易失性存储器的速度已经可以接近动态随机存储器。
电荷俘获型存储器(Charge Trapping Memory ,C...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。