技术编号：13674447
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本公开涉及交指型背接触太阳能电池，其中局部的硼扩散区和磷扩散区在背面上形成。背景技术一种克服常规前接触太阳能电池的缺陷的方法是将p-n结和背表面场(BSF)移动至太阳能电池的背面。这种构造称之为交指型背接触(IBC)太阳能电池。IBC太阳能电池的概念首先由Lammert和Schwartz提出[M.D.Lammert和R.J.Schwartz，“Theinterdigitatedbackcontactsolarcell:asiliconsolarcellforuseinconcentrat...
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