技术编号：13674602
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及用于衬底处理的方法和系统，更具体地，涉及用于利用侧壁刻面化(faceting)和溢料(flash)添加或钝化生长来对侧壁形状进行图案化的方法和系统。背景技术随着特征定标继续主导微电子发展，创建特定结构会是一个昂贵而复杂的过程。通常，这些过程会难以控制。以下是简单创建具有许多未来应用的独特结构轮廓的方法。本发明涉及利用众所周知的侧壁刻面化的蚀刻特性和钝化层的生长来产生新的、独特的且新颖的硅轮廓(profile)的干式等离子体处理。由于刻面化表面而采用辅助原位生长的硬掩模的相对蚀刻...
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