技术编号:13677461
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体薄膜的制备方法,特别涉及一种通过溶胶凝胶法(Sol-Gel)获得的前驱膜,再采用电子束退火技术制备ZnO薄膜的方法。
背景技术
ZnO是II-VI族宽禁带半导体,能带宽度为3.37eV,激发波长范围位于近紫外附近,激子束缚能高达60meV,约是GaN(25mev)的两倍,容易在室温或更高温度下实现激子发射。ZnO含量丰富,无毒,绿色环保,且成膜温度(500℃左右)低,原材料成本低廉。ZnO薄膜有优良的压电、热电和铁电特性,良好的抗辐射性能,可以应...
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