技术编号:13681187
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及多晶硅制造技术领域,更具体地说,涉及一种还原炉及其底盘结构。
背景技术
目前,多采用西门子法来生产多晶硅,生产过程中在还原炉内进行还原反应。其中,还原炉的底盘上设有电极,电极外侧套有绝缘套和隔热环,隔热环位于绝缘套的顶端,电极通过石墨组件与硅芯连接;其中,石墨组件位于隔热环的顶端。
反应过程中,随着电流的增大,还原炉的炉内热场会逐渐升高,热辐射逐渐增强,炉内正常生产反应温度为1020°至1100°。由于隔热环与电极之间存在间隙,则反应不完全的三...
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