技术编号：13686888
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶体硅太阳能电池用背场铝浆，具体还涉及一种高效低翘曲度晶体硅太阳能电池背场铝浆及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。
背景技术
降低太阳能发电成本，是竞争日益激烈的光伏产业追求的目标。第一：降低硅原料成本，一般需要向更薄的硅片发展，采用更薄的硅片是以后晶体硅太阳能电池产业发展的趋势之一。硅原料的缺乏，加速了硅片向薄片化发展，许多光伏企业所用的硅片的厚度已经在180～220μm之间，而现阶段的太阳能电池背面基本上是采用铝背场，这种铝背场起到一个P+层的作...
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