技术编号:13687102
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体制造领域,和更特别地涉及在半导体制造中使用的硬掩模领域。随着在193nm浸没式光刻中的临界尺寸和节距连续降低,归功于硬掩模材料的优异的刻蚀选择性,在集成电路制造的某些层中使用硬掩模已经变得越来越流行。某些金属硬掩模,例如TiN是通过化学气相沉积(CVD)施加到加工晶片上。通过CVD或旋涂技术施加的无定形碳硬掩模和硅硬掩模(或硅抗反射涂层或SiARC)是集成电路制造中的常规技术之中。目前,旋涂金属硬掩模在集成电路工业中获得了关注,部分是由于与常规方法相比潜在的成本降低以及制备方...
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